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Vishay Siliconix
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Scheda tecnica

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STMicroelectronics
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STMicroelectronics
In magazzino: 0
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STMicroelectronics
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Scheda tecnica
Canale N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
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IPW65R099C6FKSA1

Codice DigiKey
IPW65R099C6FKSA1-ND
Produttore
Codice produttore
IPW65R099C6FKSA1
Descrizione
MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IPW65R099C6FKSA1 Modelli
Attributi del prodotto
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Categoria
Vgs(th) max a Id
3,5V a 1,2mA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
127 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Tubo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
2780 pF @ 100 V
Stato componente
Non per nuovi progetti
Dissipazione di potenza (max)
278W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
Foro passante
Tensione drain/source (Vdss)
650 V
Contenitore del fornitore
PG-TO247-3-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
99mohm a 12,8A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (9)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
STW65N80K5STMicroelectronics429497-16333-5-NDFr. 12.67000Diretto
FCH077N65F-F085onsemi1’646FCH077N65F-F085-NDFr. 9.22000Simile
FCH077N65F-F155onsemi201FCH077N65F-F155-NDFr. 8.59000Simile
IXFX48N60PIXYS0IXFX48N60P-NDFr. 11.56473Simile
IXTH34N65X2IXYS203IXTH34N65X2-NDFr. 7.89000Simile
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Tubo
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 6.24000Fr. 6.24
30Fr. 3.60200Fr. 108.06
120Fr. 3.02242Fr. 362.69
510Fr. 2.59796Fr. 1’324.96
1’020Fr. 2.44450Fr. 2’493.39
Contenitore standard del produttore
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Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 6.24000
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