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IPW65R099C6FKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | IPW65R099C6FKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IPW65R099C6FKSA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 38A TO247-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 38 A (Tc) 278W (Tc) Foro passante PG-TO247-3-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IPW65R099C6FKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 3,5V a 1,2mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 127 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2780 pF @ 100 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 278W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore PG-TO247-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 99mohm a 12,8A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| STW65N80K5 | STMicroelectronics | 429 | 497-16333-5-ND | Fr. 12.67000 | Diretto |
| FCH077N65F-F085 | onsemi | 1’646 | FCH077N65F-F085-ND | Fr. 9.22000 | Simile |
| FCH077N65F-F155 | onsemi | 201 | FCH077N65F-F155-ND | Fr. 8.59000 | Simile |
| IXFX48N60P | IXYS | 0 | IXFX48N60P-ND | Fr. 11.56473 | Simile |
| IXTH34N65X2 | IXYS | 203 | IXTH34N65X2-ND | Fr. 7.89000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 6.24000 | Fr. 6.24 |
| 30 | Fr. 3.60200 | Fr. 108.06 |
| 120 | Fr. 3.02242 | Fr. 362.69 |
| 510 | Fr. 2.59796 | Fr. 1’324.96 |
| 1’020 | Fr. 2.44450 | Fr. 2’493.39 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 6.24000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.74544 |









