Name: IQDH35N03LM5SCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQDH35N03LM5SCATMA1TR-ND
Price: 3.92403 CHF
Availability: OutOfStock

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IQDH35N03LM5SCATMA1
Codice DigiKey	448-IQDH35N03LM5SCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQDH35N03LM5SCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQDH35N03LM5SCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQDH35N03LM5SCATMA1
Descrizione	OPTIMOS POWER MOSFETS 25 V - 150
Tempi di consegna standard del produttore	52 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 66A (Ta), 700A (Tc) 2,5W (Ta), 278W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHSON-8-U02
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQDH35N03LM5SCATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	OptiMOS™ 5
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	66A (Ta), 700A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,35mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id	2V a 1,46mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	114 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	18000 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	2,5W (Ta), 278W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-WHSON-8-U02
Contenitore/involucro	8-PowerWDFN