Canale N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-1
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IQE006NE2LM5CGATMA1

Codice DigiKey
448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
IQE006NE2LM5CGATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IQE006NE2LM5CGATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Tecnologia
Tensione drain/source (Vdss)
25 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
RDSon (max) a Id, Vgs
0,65mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
82.1 nC @ 10 V
Vgs (max)
±16V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5453 pF @ 12 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 89W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
PG-TTFN-9-1
Contenitore/involucro
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 2.18000Fr. 2.18
10Fr. 1.40900Fr. 14.09
100Fr. 0.96790Fr. 96.79
500Fr. 0.78678Fr. 393.39
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 0.64280Fr. 3’214.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 2.18000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 2.35658