Canale N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-1
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IQE006NE2LM5CGATMA1

Codice DigiKey
448-IQE006NE2LM5CGATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-IQE006NE2LM5CGATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
IQE006NE2LM5CGATMA1
Descrizione
MOSFET N-CH 25V 41A/298A PQFN
Tempi di consegna standard del produttore
61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 25 V 41A (Ta), 298A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-TTFN-9-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IQE006NE2LM5CGATMA1 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
2V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
82.1 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±16V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
5453 pF @ 12 V
Stato componente
Attivo
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 89W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
25 V
Contenitore del fornitore
PG-TTFN-9-1
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
0,65mohm a 20A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.12000Fr. 3.12
10Fr. 2.02700Fr. 20.27
100Fr. 1.40590Fr. 140.59
500Fr. 1.14058Fr. 570.29
1’000Fr. 1.05533Fr. 1’055.33
2’000Fr. 0.98368Fr. 1’967.36
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
5’000Fr. 0.90619Fr. 4’530.95
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.12000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 3.37272