Name: IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND
Price: 3.10247 CHF
Availability: InStock

Canale N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-1

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IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Codice DigiKey	448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IQE006NE2LM5CGSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IQE006NE2LM5CGSCATMA1
Descrizione	OPTIMOS LOWVOLTAGE POWER MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	61 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 25 V 47A (Ta), 310A (Tc) 2,1W (Ta), 89W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHTFN-9-1
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IQE006NE2LM5CGSCATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 0,58mohm a 20A, 10V
Produttore Infineon Technologies	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Serie OptiMOS™ 5	Carica del gate (Qg) max a Vgs 82 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±16V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5453 pF @ 12 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 2,1W (Ta), 89W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 25 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 47A (Ta), 310A (Tc)	Contenitore del fornitore PG-WHTFN-9-1
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V	Contenitore/involucro 9-PowerWDFN