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MOSFET - Array 30V 4,9A 2W A montaggio superficiale 8-SO
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IRF7303TRPBF

Codice DigiKey
IRF7303PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRF7303PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRF7303PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
IRF7303TRPBF
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore
26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 4,9A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRF7303TRPBF Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
HEXFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
4,9A
RDSon (max) a Id, Vgs
50mohm a 2,4A, 10V
Vgs(th) max a Id
1V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
25nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
520pF a 25V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
IRF73
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
4’000Fr. 0.30579Fr. 1’223.16
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.30579
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 0.33056
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