Name: IRF7341GTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 448-IRF7341GTRPBFTR-ND
Price: 2.7025 CHF
Availability: InStock

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IRF7341GTRPBF
Codice DigiKey	448-IRF7341GTRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRF7341GTRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRF7341GTRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7341GTRPBF
Descrizione	MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8SO
Tempi di consegna standard del produttore	22 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	MOSFET - Array 55V 5,1A 2,4W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET Array FET, MOSFET	Vgs(th) max a Id 1V a 250µA (min)
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 44nC a 10V
Serie HEXFET®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 780pF a 25V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Potenza - Max 2,4W
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Configurazione 2 canali N (doppio)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione drain/source (Vdss) 55V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 5,1A	Codice componente base IRF734
RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 5,1A, 10V

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