
IRF7341TRPBF | |
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Codice DigiKey | IRF7341PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7341PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7341PBFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IRF7341TRPBF |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8SO |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 55V 4,7A 2W A montaggio superficiale 8-SO |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 55V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,7A | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 50mohm a 4,7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 36nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 740pF a 25V | |
Potenza - Max | 2W | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | 8-SO | |
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 1.02000 | Fr. 1.02 |
10 | Fr. 0.64200 | Fr. 6.42 |
100 | Fr. 0.42410 | Fr. 42.41 |
500 | Fr. 0.33020 | Fr. 165.10 |
1’000 | Fr. 0.29998 | Fr. 299.98 |
2’000 | Fr. 0.27638 | Fr. 552.76 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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4’000 | Fr. 0.25317 | Fr. 1’012.68 |
8’000 | Fr. 0.23519 | Fr. 1’881.52 |
12’000 | Fr. 0.22604 | Fr. 2’712.48 |
20’000 | Fr. 0.22580 | Fr. 4’516.00 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.02000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.10262 |