
IRF7341TRPBFXTMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IRF7341TRPBFXTMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 55V 4,7 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale PG-DSO-8-902 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRF7341TRPBFXTMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (doppio) | |
Funzione FET | Porta a livello logico | |
Tensione drain/source (Vdss) | 55V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 4,7 A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 50mohm a 4,7A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 1V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 36nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 740pF a 25V | |
Potenza - Max | 2W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) | |
Contenitore del fornitore | PG-DSO-8-902 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.02000 | Fr. 1.02 |
| 10 | Fr. 0.64300 | Fr. 6.43 |
| 100 | Fr. 0.42470 | Fr. 42.47 |
| 500 | Fr. 0.33076 | Fr. 165.38 |
| 1’000 | Fr. 0.30049 | Fr. 300.49 |
| 2’000 | Fr. 0.27696 | Fr. 553.92 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4’000 | Fr. 0.24601 | Fr. 984.04 |
| 8’000 | Fr. 0.22855 | Fr. 1’828.40 |
| 12’000 | Fr. 0.22627 | Fr. 2’715.24 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.02000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.10262 |









