
IRF7341TRPBFXTMA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-IRF7341TRPBFXTMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRF7341TRPBFXTMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRF7341TRPBFXTMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IRF7341TRPBFXTMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8DSO-902 |
Tempi di consegna standard del produttore | 25 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 55V 4,7 A (Tc) 2W (Tc) A montaggio superficiale PG-DSO-8-902 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRF7341TRPBFXTMA1 Modelli |
Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 50mohm a 4,7A, 10V |
Produttore Infineon Technologies | Vgs(th) max a Id 1V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 36nC a 10V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 740pF a 25V |
Stato componente Attivo | Potenza - Max 2W (Tc) |
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo) | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Configurazione 2 canali N (doppio) | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Funzione FET Porta a livello logico | Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm) |
Tensione drain/source (Vdss) 55V | Contenitore del fornitore PG-DSO-8-902 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 4,7 A (Tc) |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 1.07000 | Fr. 1.07 |
| 10 | Fr. 0.67100 | Fr. 6.71 |
| 100 | Fr. 0.44250 | Fr. 44.25 |
| 500 | Fr. 0.34462 | Fr. 172.31 |
| 1’000 | Fr. 0.31309 | Fr. 313.09 |
| 2’000 | Fr. 0.28656 | Fr. 573.12 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 4’000 | Fr. 0.26425 | Fr. 1’057.00 |
| 8’000 | Fr. 0.24549 | Fr. 1’963.92 |
| 12’000 | Fr. 0.23594 | Fr. 2’831.28 |
| 20’000 | Fr. 0.22520 | Fr. 4’504.00 |
| 28’000 | Fr. 0.22033 | Fr. 6’169.24 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 1.07000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 1.15667 |


