IRF7458TRPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

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IRF7458TRPBF
Codice DigiKey	IRF7458PBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRF7458PBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRF7458PBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRF7458TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 14 A (Ta) 2,5W (Ta) A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRF7458TRPBF Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 59 nC @ 10 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±30V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2410 pF @ 15 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 2,5W (Ta)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 30 V	Contenitore del fornitore 8-SO
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 14 A (Ta)	Contenitore/involucro 8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V, 16V	Codice componente base IRF7458
RDSon (max) a Id, Vgs 8mohm a 14A, 16V

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
FDS6670A	onsemi	12’220	FDS6670ACT-ND	Fr. 1.01000	Simile
FDS8896	onsemi	7’352	FDS8896CT-ND	Fr. 1.00000	Simile
SI4420BDY-T1-E3	Vishay Siliconix	3’939	SI4420BDY-T1-E3CT-ND	Fr. 2.08000	Simile
SI4420BDY-T1-GE3	Vishay Siliconix	404	742-SI4420BDY-T1-GE3CT-ND	Fr. 2.08000	Simile
SI4686DY-T1-GE3	Vishay Siliconix	6’238	SI4686DY-T1-GE3CT-ND	Fr. 1.75000	Simile

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