IRFH5110TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.
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Canale N 100 V 11 A (Ta), 63 A (Tc) 3,6W (Ta), 114W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
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IRFH5110TRPBF

Codice DigiKey
448-IRFH5110TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
IRFH5110TRPBF
Descrizione
MOSFET N-CH 100V 11A/63A 8PQFN
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 100 V 11 A (Ta), 63 A (Tc) 3,6W (Ta), 114W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN (5x6)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRFH5110TRPBF Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
4V a 100µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
72 nC @ 10 V
Serie
Vgs (max)
±20V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
3152 pF @ 25 V
Stato componente
Obsoleto
Dissipazione di potenza (max)
3,6W (Ta), 114W (Tc)
Tipo FET
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss)
100 V
Contenitore del fornitore
8-PQFN (5x6)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore/involucro
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Codice componente base
RDSon (max) a Id, Vgs
12,4mohm a 37A, 10V
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (5)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
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Obsoleto
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