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IRFHM830TRPBF è obsoleto e non è più in produzione.
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IRFHM830TRPBF | |
|---|---|
Codice DigiKey | IRFHM830TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRFHM830TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRFHM830TRPBFDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | IRFHM830TRPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 21A/40A PQFN |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 21 A (Ta), 40 A (Tc) 2,7W (Ta), 37W (Tc) A montaggio superficiale 8-PQFN-Dual (3,3x3,3) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IRFHM830TRPBF Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 30 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 4,5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 3,8mohm a 20A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,35V a 50µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 31 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2155 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 2,7W (Ta), 37W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | 8-PQFN-Dual (3,3x3,3) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Obsoleto
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