IRFR3910TRR Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

IRFR3910TRR è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Equivalente parametrico

Infineon Technologies

In magazzino: 2’823

Prezzo unitario : Fr. 0.58000

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IRFR3910TRR
Codice DigiKey	IRFR3910TRR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRFR3910TRR
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 16A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 16 A (Tc) 79W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	16 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	115mohm a 10A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	44 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	640 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	79W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA (DPAK)
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63