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IRL6372TRPBF

Codice DigiKey
IRL6372TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
IRL6372TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
IRL6372TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Codice produttore
IRL6372TRPBF
Descrizione
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 30V 8,1A 2W A montaggio superficiale 8-SO
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
IRL6372TRPBF Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Obsoleto
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (doppio)
Funzione FET
Porta a livello logico
Tensione drain/source (Vdss)
30V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
8,1A
RDSon (max) a Id, Vgs
17,9mohm a 8,1A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,1V a 10µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
11nC a 4,5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1020pF a 25V
Potenza - Max
2W
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
8-SOIC (larghezza 0,154", 3,90mm)
Contenitore del fornitore
8-SO
Codice componente base
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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10Fr. 0.62200Fr. 6.22
100Fr. 0.40940Fr. 40.94
500Fr. 0.31836Fr. 159.18
1’000Fr. 0.28904Fr. 289.04
2’000Fr. 0.26437Fr. 528.74
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.99000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.07019