IRLR120NTRLPBF Infineon Technologies | FET, MOSFET singoli

IRLR120NTRLPBF è obsoleto e non è più in produzione.

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IRLR120NTRLPBF
Codice DigiKey	448-IRLR120NTRLPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-IRLR120NTRLPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-IRLR120NTRLPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLR120NTRLPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 10A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 10 A (Tc) 48W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2V a 250µA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 20 nC @ 5 V
Serie HEXFET®	Vgs (max) ±16V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 440 pF @ 25 V
Stato componente Obsoleto	Dissipazione di potenza (max) 48W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK)
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 10 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4V, 10V	Codice componente base IRLR120
RDSon (max) a Id, Vgs 185mohm a 6A, 10V

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Sostituti (4)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IRLR3410TRLPBF	Infineon Technologies	5’136	IRLR3410TRLPBFCT-ND	Fr. 1.18000	Consigliato dal produttore
FDD1600N10ALZ	onsemi	22’695	FDD1600N10ALZCT-ND	Fr. 1.29000	Simile
FQD13N10LTM	onsemi	6’975	FQD13N10LTMCT-ND	Fr. 0.96000	Simile
IRLR120PBF	Vishay Siliconix	45	IRLR120PBF-ND	Fr. 1.83000	Simile

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IRLR120NTRLPBF