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IRLR8103VTRPBF è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
IRLR8103VTRPBF | |
|---|---|
Codice DigiKey | IRLR8103VPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | IRLR8103VTRPBF |
Descrizione | MOSFET N-CH 30V 91A DPAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 30 V 91 A (Tc) 115W (Tc) A montaggio superficiale |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
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Categoria | RDSon (max) a Id, Vgs 9mohm a 15A, 10V |
Produttore | Vgs(th) max a Id 3V a 250µA |
Serie | Carica del gate (Qg) max a Vgs 27 nC @ 5 V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) | Vgs (max) ±20V |
Stato componente Obsoleto | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2672 pF @ 16 V |
Tipo FET | Dissipazione di potenza (max) 115W (Tc) |
Tecnologia | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tensione drain/source (Vdss) 30 V | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore del fornitore TO-252AA (DPAK) |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V, 10V | Contenitore/involucro |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD090N03LGATMA1 | Infineon Technologies | 93’382 | IPD090N03LGATMA1CT-ND | Fr. 0.87000 | Simile |
| IPD50N03S2L06ATMA1 | Infineon Technologies | 4’397 | IPD50N03S2L06ATMA1CT-ND | Fr. 1.85000 | Simile |
| DMN3010LK3-13 | Diodes Incorporated | 0 | 31-DMN3010LK3-13CT-ND | Fr. 0.90000 | Simile |
| FDD8876 | onsemi | 103 | FDD8876CT-ND | Fr. 1.56000 | Simile |
| FDD8880 | onsemi | 1’817 | FDD8880CT-ND | Fr. 1.00000 | Simile |
Obsoleto
