Name: IRLR8726TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: IRLR8726TRPBFTR-ND
Price: 0.78913 CHF
Availability: InStock

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IRLR8726TRPBF
Codice DigiKey	IRLR8726TRPBFTR-ND - Nastrato in bobina (TR) IRLR8726TRPBFCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) IRLR8726TRPBFDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLR8726TRPBF
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 86A DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 86 A (Tc) 75W (Tc) A montaggio superficiale
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	IRLR8726TRPBF Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Non per nuovi progetti
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	86 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	5,8mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,35V a 50µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	23 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2150 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	75W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA (DPAK)
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	IRLR8726

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Nastrato in bobina (TR)