IRLS3034PBF Infineon Technologies | Prodotti a semiconduttore discreti

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IRLS3034PBF
Codice DigiKey	IRLS3034PBF-ND
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	IRLS3034PBF
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 195 A (Tc) 375W (Tc) A montaggio superficiale D2PAK
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	HEXFET®
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Fuori produzione presso Digi-Key
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	195 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	1,7mohm a 195A, 10V
Vgs(th) max a Id	2,5V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	162 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	10315 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	D2PAK
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB

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