
ISG0613N04NM6HATMA1 | |
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Codice DigiKey | 448-ISG0613N04NM6HATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 448-ISG0613N04NM6HATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 448-ISG0613N04NM6HATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | ISG0613N04NM6HATMA1 |
Descrizione | MOSFET 2N-CH 40V 42A 10VITFN |
Tempi di consegna standard del produttore | 18 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | MOSFET - Array 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-VITFN-10-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | Infineon Technologies | |
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tecnologia | MOSFET (ossido di metallo) | |
Configurazione | 2 canali N (semiponte) | |
Funzione FET | - | |
Tensione drain/source (Vdss) | 40V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | 42A (Ta), 299A (Tc) | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 0,88mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 2,8V a 780µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 104nC a 10V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 6200pF a 20V | |
Potenza - Max | 3W (Ta), 167W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | 10-PowerVDFN | |
Contenitore del fornitore | PG-VITFN-10-1 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 3.55000 | Fr. 3.55 |
10 | Fr. 2.34600 | Fr. 23.46 |
100 | Fr. 1.65930 | Fr. 165.93 |
500 | Fr. 1.52852 | Fr. 764.26 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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3’000 | Fr. 1.24880 | Fr. 3’746.40 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.55000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.83755 |