10 Power-WHITFN-10-1
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10 Power-WHITFN-10-1
10 Power-WHITFN-10-1

ISG0613N04NM6HSCATMA1

Codice DigiKey
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
448-ISG0613N04NM6HSCATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Infineon Technologies
Codice produttore
ISG0613N04NM6HSCATMA1
Descrizione
MOSFET 2N-CH 40V 42A 10WHITFN
Tempi di consegna standard del produttore
18 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
MOSFET - Array 40V 42A (Ta), 299A (Tc) 3W (Ta), 167W (Tc) A montaggio superficiale PG-WHITFN-10-1
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Infineon Technologies
Serie
OptiMOS™ 6
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Attivo
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Configurazione
2 canali N (semiponte)
Funzione FET
-
Tensione drain/source (Vdss)
40V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
42A (Ta), 299A (Tc)
RDSon (max) a Id, Vgs
0,88mohm a 50A, 10V
Vgs(th) max a Id
2,8V a 780µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
104nC a 10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6200pF a 20V
Potenza - Max
3W (Ta), 167W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore/involucro
10-PowerWDFN
Contenitore del fornitore
PG-WHITFN-10-1
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Quantità
Tutti i prezzi sono in CHF
Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 3.76000Fr. 3.76
10Fr. 2.48900Fr. 24.89
100Fr. 1.76650Fr. 176.65
500Fr. 1.64946Fr. 824.73
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 1.34760Fr. 4’042.80
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 3.76000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 4.06456
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