
SPB17N80C3ATMA1 | |
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Codice DigiKey | SPB17N80C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPB17N80C3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPB17N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | SPB17N80C3ATMA1 |
Descrizione | MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3 |
Tempi di consegna standard del produttore | 15 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 800 V 17 A (Tc) 227W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SPB17N80C3ATMA1 Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 800 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 290mohm a 11A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3,9V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 177 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2300 pF @ 100 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 227W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | PG-TO263-3-2 | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.45000 | Fr. 3.45 |
| 10 | Fr. 2.42300 | Fr. 24.23 |
| 100 | Fr. 1.77180 | Fr. 177.18 |
| 500 | Fr. 1.65722 | Fr. 828.61 |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1’000 | Fr. 1.59152 | Fr. 1’591.52 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 3.45000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 3.72945 |











