Name: SPB17N80C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPB17N80C3ATMA1TR-ND
Price: 4.15104 CHF
Availability: InStock

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SPB17N80C3ATMA1
Codice DigiKey	SPB17N80C3ATMA1TR-ND - Nastrato in bobina (TR) SPB17N80C3ATMA1CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) SPB17N80C3ATMA1DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPB17N80C3ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 800V 17A TO263-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 17 A (Tc) 227W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO263-3-2
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPB17N80C3ATMA1 Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 3,9V a 1mA
Produttore Infineon Technologies	Carica del gate (Qg) max a Vgs 177 nC @ 10 V
Serie CoolMOS™	Vgs (max) ±20V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 2300 pF @ 100 V
Stato componente Non per nuovi progetti	Dissipazione di potenza (max) 227W (Tc)
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Contenitore del fornitore PG-TO263-3-2
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 17 A (Tc)	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Codice componente base SPB17N80
RDSon (max) a Id, Vgs 290mohm a 11A, 10V

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Sostituti (5)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
STB21N90K5	STMicroelectronics	1’276	497-12851-1-ND	Fr. 6.29000	Diretto
FCB290N80	onsemi	94	FCB290N80CT-ND	Fr. 6.29000	Simile
STB11NM80T4	STMicroelectronics	789	497-STB11NM80T4CT-ND	Fr. 6.78000	Simile
STB18NM80	STMicroelectronics	7’739	497-10117-1-ND	Fr. 4.57000	Simile
STB25N80K5	STMicroelectronics	39	497-13640-1-ND	Fr. 4.90000	Simile