Name: SPD06N60C3ATMA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: SPD06N60C3ATMA1-ND
Price: 0.66957 CHF
Availability: OutOfStock

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SPD06N60C3ATMA1
Codice DigiKey	SPD06N60C3ATMA1-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Infineon Technologies
Codice produttore	SPD06N60C3ATMA1
Descrizione	MOSFET N-CH 600V 6.2A TO252-3
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 600 V 6,2 A (Tc) 74W (Tc) A montaggio superficiale PG-TO252-3
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SPD06N60C3ATMA1 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Infineon Technologies
Serie	CoolMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Data di acquisto finale
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	600 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	6,2 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	750mohm a 3,9A, 10V
Vgs(th) max a Id	3,9V a 260µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	31 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	620 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	74W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	PG-TO252-3
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	SPD06N60