
SPP20N60S5XKSA1 | |
|---|---|
Codice DigiKey | 448-SPP20N60S5XKSA1-ND |
Produttore | |
Codice produttore | SPP20N60S5XKSA1 |
Descrizione | HIGH POWER_LEGACY |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 20 A (Tc) 208W (Tc) Foro passante PG-TO220-3-1 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | SPP20N60S5XKSA1 Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 5,5V a 1mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 103 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3000 pF @ 25 V |
Stato componente Non per nuovi progetti | Dissipazione di potenza (max) 208W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore PG-TO220-3-1 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 190mohm a 13A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP150N65F | onsemi | 776 | FCP150N65FOS-ND | Fr. 4.99000 | Simile |
| SIHP24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65E-E3-ND | Fr. 5.36000 | Simile |
| SIHP24N65EF-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP24N65EF-GE3-ND | Fr. 2.04488 | Simile |
| STP26N60M2 | STMicroelectronics | 0 | STP26N60M2-ND | Fr. 1.08425 | Simile |
| STP28N65M2 | STMicroelectronics | 0 | 497-STP28N65M2-ND | Fr. 3.15000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 4.05000 | Fr. 4.05 |
| 50 | Fr. 2.09680 | Fr. 104.84 |
| 100 | Fr. 1.90820 | Fr. 190.82 |
| 500 | Fr. 1.57770 | Fr. 788.85 |
| 1’000 | Fr. 1.47161 | Fr. 1’471.61 |
| 2’000 | Fr. 1.38245 | Fr. 2’764.90 |
| 5’000 | Fr. 1.37104 | Fr. 6’855.20 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 4.05000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 4.37805 |

