IXFN50N120SK IXYS | FET, MOSFET singoli

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IXFN50N120SK
Codice DigiKey	IXFN50N120SK-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFN50N120SK
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 48 A (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 2,8V a 10mA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 115 nC @ 20 V
Confezionamento Tubo	Vgs (max) +20V, -5V
Stato componente Obsoleto	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1895 pF @ 1000 V
Tipo FET Canale N	Temperatura di funzionamento -40°C ~ 175°C (TJ)
Tecnologia SiCFET (carburo di silicio)	Tipo di montaggio Montaggio su telaio
Tensione drain/source (Vdss) 1200 V	Contenitore del fornitore SOT-227B
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 48 A (Tc)	Contenitore/involucro SOT-227-4, miniBLOC
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 20V	Codice componente base IXFN50
RDSon (max) a Id, Vgs 52mohm a 40A, 20V

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