IXFN50N120SK IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

IXFN50N120SK è obsoleto e non è più in produzione.

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IXYS

In magazzino: 134

Prezzo unitario : Fr. 46.17000

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IXFN50N120SK
Codice DigiKey	IXFN50N120SK-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXFN50N120SK
Descrizione	SICFET N-CH 1200V 48A SOT227B
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 1200 V 48 A (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	48 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	20V
RDSon (max) a Id, Vgs	52mohm a 40A, 20V
Vgs(th) max a Id	2,8V a 10mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	115 nC @ 20 V
Vgs (max)	+20V, -5V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	1895 pF @ 1000 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore	SOT-227B
Contenitore/involucro	SOT-227-4, miniBLOC
Codice componente base	IXFN50