Name: IXTA1N200P3HV-TRL
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA1N200P3HV-TRLTR-ND
Price: 9.44794 CHF
Availability: InStock

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IXTA1N200P3HV-TRL
Codice DigiKey	238-IXTA1N200P3HV-TRLTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 238-IXTA1N200P3HV-TRLCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 238-IXTA1N200P3HV-TRLDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTA1N200P3HV-TRL
Descrizione	MOSFET N-CH 2000V 1A TO263HV
Tempi di consegna standard del produttore	51 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263HV
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 250µA
Produttore IXYS	Carica del gate (Qg) max a Vgs 23.5 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 646 pF @ 25 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 2000 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 1 A (Tc)	Contenitore del fornitore TO-263HV
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
RDSon (max) a Id, Vgs 40ohm a 500mA, 10V	Codice componente base IXTA1

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Sostituti (1)

Codice componente	Produttore	Quantità disponibile	Codice DigiKey	Prezzo unitario	Tipo di articolo sostitutivo
IXTT1N250HV-TRL	IXYS	0	238-IXTT1N250HV-TRLTR-ND	Fr. 30.90098	Simile

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
800	Fr. 3.81311	Fr. 3’050.49

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 8.74000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 9.44794

IXTA1N200P3HV-TRL