Equivalente parametrico

IXTA1N200P3HV | |
|---|---|
Codice DigiKey | IXTA1N200P3HV-ND |
Produttore | |
Codice produttore | IXTA1N200P3HV |
Descrizione | MOSFET N-CH 2000V 1A TO263 |
Tempi di consegna standard del produttore | 26 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-263AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | IXTA1N200P3HV Modelli |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 23.5 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 646 pF @ 25 V |
Stato componente Attivo | Dissipazione di potenza (max) 125W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 2000 V | Contenitore del fornitore TO-263AA |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 40ohm a 500mA, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTA1N200P3HV-TRL | IXYS | 23 | 238-IXTA1N200P3HV-TRLCT-ND | Fr. 8.74000 | Equivalente parametrico |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 8.74000 | Fr. 8.74 |
| 50 | Fr. 4.87120 | Fr. 243.56 |
| 100 | Fr. 4.49920 | Fr. 449.92 |
| 500 | Fr. 3.84804 | Fr. 1’924.02 |
| 1’000 | Fr. 3.81311 | Fr. 3’813.11 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 8.74000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 9.44794 |



