IXTN660N04T4 IXYS | Prodotti a semiconduttore discreti

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IXTN660N04T4
Codice DigiKey	IXTN660N04T4-ND
Produttore	IXYS
Codice produttore	IXTN660N04T4
Descrizione	MOSFET N-CH 40V 660A SOT227B
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 40 V 660 A (Tc) 1040W (Tc) Montaggio su telaio SOT-227B
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	IXYS
Serie	Trench
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	40 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	660 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	0,85mohm a 100A, 10V
Vgs(th) max a Id	4V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	860 nC @ 10 V
Vgs (max)	±15V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	44000 pF @ 25 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1040W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Montaggio su telaio
Contenitore del fornitore	SOT-227B
Contenitore/involucro	SOT-227-4, miniBLOC
Codice componente base	IXTN660