IGBT PT 1200 V 69 A 417 W Foro passante TO-247 [B]
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APT25GP120BDQ1G

Codice DigiKey
APT25GP120BDQ1G-ND
Produttore
Microchip Technology
Codice produttore
APT25GP120BDQ1G
Descrizione
IGBT PT 1200V 69A TO247
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
IGBT PT 1200 V 69 A 417 W Foro passante TO-247 [B]
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Microchip Technology
Serie
POWER MOS 7®
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo di IGBT
PT
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)
1200 V
Corrente - Collettore (Ic) max
69 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)
90 A
Vce(on) max a Vge, Ic
3,9V a 15V, 25A
Potenza - Max
417 W
Energia di commutazione
500µJ (on), 440µJ (off)
Tipo di ingresso
Standard
Carica del gate
110 nC
Td (on/off) a 25°C
12ns/70ns
Condizione di test
600V, 25A, 5ohm, 15V
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore/involucro
TO-247-3
Contenitore del fornitore
TO-247 [B]
Codice componente base
APT25GP120
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