Name: G3F25MT06K
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-G3F25MT06K-ND
Price: 16.8636 CHF
Availability: InStock

Canale N 650 V 100 A (Tc) 294W (Tc) Foro passante TO-247-4

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G3F25MT06K
Codice DigiKey	1913-G3F25MT06K-ND
Produttore	Navitas Semiconductor, Inc.
Codice produttore	G3F25MT06K
Descrizione	650V 20M TO-247-4 G3F SIC MOSFET
Tempi di consegna standard del produttore	20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 100 A (Tc) 294W (Tc) Foro passante TO-247-4
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Navitas Semiconductor, Inc.
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiC (transistor di giunzione al carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	100 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	15V, 18V
RDSon (max) a Id, Vgs	27,5mohm a 35A, 18V
Vgs(th) max a Id	4,3V a 15mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	108 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2939 pF @ 400 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	294W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247-4
Contenitore/involucro	TO-247-4

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Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
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