Canale N 1200 V 35 A (Tc) 153W (Tc) Foro passante TO-247-4
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Canale N 1200 V 35 A (Tc) 153W (Tc) Foro passante TO-247-4
TO-247-4

G3F65MT12K

Codice DigiKey
1913-G3F65MT12K-ND
Produttore
Navitas Semiconductor, Inc.
Codice produttore
G3F65MT12K
Descrizione
1200V 65M TO-247-4 G3F SIC MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 1200 V 35 A (Tc) 153W (Tc) Foro passante TO-247-4
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Categoria
Produttore
Navitas Semiconductor, Inc.
Serie
-
Confezionamento
Tubo
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
SiC (transistor di giunzione al carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)
1200 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
35 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
18V
RDSon (max) a Id, Vgs
86mohm a 15A, 18V
Vgs(th) max a Id
4,3V a 10mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
55 nC @ 18 V
Vgs (max)
+22V, -10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1298 pF @ 800 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
153W (Tc)
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
Foro passante
Contenitore del fornitore
TO-247-4
Contenitore/involucro
TO-247-4
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1Fr. 9.34000Fr. 9.34
30Fr. 5.60067Fr. 168.02
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510Fr. 4.51000Fr. 2’300.10
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