Name: NV6028
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6028TR-ND
Price: 8.45342 CHF
Availability: InStock

Nuovo prodotto

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NV6028
Codice DigiKey	1913-NV6028TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1913-NV6028CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1913-NV6028DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Navitas Semiconductor, Inc.
Codice produttore	NV6028
Descrizione	GANFET DISCRETE 650V 70MOHM PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 25 A (Tc) 105W (Tc) A montaggio superficiale 8-PDFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 100mohm a 9A, 6V
Produttore Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) max a Id 2,8V a 17mA
Serie GaNFast™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.3 nC @ 6 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 147 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 105W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 650 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 25 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PDFN (8x8)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V	Contenitore/involucro 8-VDFN piazzola esposta

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In magazzino: 3’000

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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®

* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.

Nastrato in bobina (TR)

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
3’000	Fr. 4.58179	Fr. 13’745.37

Contenitore standard del produttore

Prezzo unitario IVA esclusa:	Fr. 7.82000
Prezzo unitario IVA inclusa:	Fr. 8.45342

NV6028