Name: NV6029
Brand: Navitas Semiconductor, Inc.
SKU: 1913-NV6029TR-ND
Price: 11.31807 CHF
Availability: InStock

Nuovo prodotto

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

NV6029
Codice DigiKey	1913-NV6029TR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1913-NV6029CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1913-NV6029DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Navitas Semiconductor, Inc.
Codice produttore	NV6029
Descrizione	GANFET DISCRETE 650V 50MOHM PQFN
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 800 V 30 A (Tc) 135W (Tc) A montaggio superficiale 8-PDFN (8x8)
Scheda tecnica	Scheda tecnica

Attributi del prodotto

Filtra prodotti simili

Mostra attributi vuoti

Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	RDSon (max) a Id, Vgs 70mohm a 12A, 6V
Produttore Navitas Semiconductor, Inc.	Vgs(th) max a Id 2,8V a 24mA
Serie GaNFast™	Carica del gate (Qg) max a Vgs 8 nC @ 6 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) +7V, -10V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 227 pF @ 400 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 135W (Tc)
Tecnologia GaNFET (nitruro di gallio)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C
Tensione drain/source (Vdss) 800 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 30 A (Tc)	Contenitore del fornitore 8-PDFN (8x8)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 6V	Contenitore/involucro 8-VDFN piazzola esposta