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BSH205G2R | |
|---|---|
Codice DigiKey | 1727-2247-2-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-2247-1-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-2247-6-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | BSH205G2R |
Descrizione | MOSFET P-CH 20V 2A TO236AB |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale P 20 V 2 A (Ta) 480mW (Ta) A montaggio superficiale TO-236AB |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | BSH205G2R Modelli |
Attributi del prodotto
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Categoria | Carica del gate (Qg) max a Vgs 6.5 nC @ 4.5 V |
Produttore | Vgs (max) ±8V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 418 pF @ 10 V |
Stato componente Fuori produzione presso DigiKey | Dissipazione di potenza (max) 480mW (Ta) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Grado Automobilistico |
Tensione drain/source (Vdss) 20 V | Qualifica AEC-Q101 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 4,5V | Contenitore del fornitore TO-236AB |
RDSon (max) a Id, Vgs 170mohm a 2A, 4,5V | Contenitore/involucro |
Vgs(th) max a Id 950mV a 250µA | Codice componente base |
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Sostituti (5)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FDN336P | onsemi | 18’005 | FDN336PCT-ND | Fr. 0.58000 | Simile |
| NTR1P02T1G | onsemi | 0 | NTR1P02T1GOSCT-ND | Fr. 0.41000 | Simile |
| NVR1P02T1G | onsemi | 42 | NVR1P02T1GOSCT-ND | Fr. 0.55000 | Simile |
| SSM3J325F,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | 9’000 | SSM3J325FLFCT-ND | Fr. 0.29000 | Simile |
| TSM260P02CX RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | 15 | 1801-TSM260P02CXRFGCT-ND | Fr. 0.67000 | Simile |
In magazzino: 0
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