Name: NGB15T65M3DFPJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-NGB15T65M3DFPJTR-ND
Price: 0.89759 CHF
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

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NGB15T65M3DFPJ
Codice DigiKey	1727-NGB15T65M3DFPJTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	NGB15T65M3DFPJ
Descrizione	NGB15T65M3DFP/SOT404B/D2PAK
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT Trench Field Stop 650 V 33 A 127 W A montaggio superficiale D2PAK

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	Trench Field Stop
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	650 V
Corrente - Collettore (Ic) max	33 A
Vce(on) max a Vge, Ic	1,7V a 15V, 15A
Potenza - Max	127 W
Energia di commutazione	330µJ (on), 190µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	45 nC
Td (on/off) a 25°C	12ns/88ns
Condizione di test	400V, 15A, 10ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (Trr)	88 ns
Temperatura di funzionamento	-40°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	D2PAK

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Nastrato in bobina (TR)