Name: PSMN2R3-100SSEJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND
Price: 6.06441 CHF
Availability: OutOfStock

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PSMN2R3-100SSEJ
Codice DigiKey	1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN2R3-100SSEJ
Descrizione	APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE
Tempi di consegna standard del produttore	26 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK88 (SOT1235)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PSMN2R3-100SSEJ Modelli

Attributi del prodotto

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs(th) max a Id 4V a 1mA
Produttore Nexperia USA Inc.	Carica del gate (Qg) max a Vgs 160 nC @ 10 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Vgs (max) ±20V
Stato componente Attivo	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 17200 pF @ 50 V
Tipo FET Canale N	Dissipazione di potenza (max) 341W (Tc)
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 255A (Tc)	Contenitore del fornitore LFPAK88 (SOT1235)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro SOT-1235
RDSon (max) a Id, Vgs 2,2mohm a 25A, 10V	Codice componente base PSMN2R3