
PSMN2R3-100SSEJ | |
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Codice DigiKey | 1727-PSMN2R3-100SSEJTR-ND - Nastrato in bobina (TR) 1727-PSMN2R3-100SSEJCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) 1727-PSMN2R3-100SSEJDKR-ND - Digi-Reel® |
Produttore | |
Codice produttore | PSMN2R3-100SSEJ |
Descrizione | APPLICATION SPECIFIC POWER MOSFE |
Tempi di consegna standard del produttore | 16 settimane |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 255A (Tc) 341W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK88 (SOT1235) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | PSMN2R3-100SSEJ Modelli |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel® | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 100 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 2,2mohm a 25A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 4V a 1mA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 160 nC @ 10 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 17200 pF @ 50 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 341W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | - | |
Qualifica | - | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | LFPAK88 (SOT1235) | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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1 | Fr. 6.73000 | Fr. 6.73 |
10 | Fr. 4.53100 | Fr. 45.31 |
50 | Fr. 3.59080 | Fr. 179.54 |
100 | Fr. 3.28820 | Fr. 328.82 |
Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
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2’000 | Fr. 2.61336 | Fr. 5’226.72 |
Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 6.73000 |
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Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 7.27513 |