Name: PSMN2R3-100SSJJ
Brand: Nexperia USA Inc.
SKU: 1727-PSMN2R3-100SSJJTR-ND
Price: 2.64953 CHF
Availability: OutOfStock

Novità in DigiKey

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PSMN2R3-100SSJJ
Codice DigiKey	1727-PSMN2R3-100SSJJTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	Nexperia USA Inc.
Codice produttore	PSMN2R3-100SSJJ
Descrizione	PSMN2R3-100SSJ/SOT1235/LFPAK88
Tempi di consegna standard del produttore	16 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 255A (Ta) 500W (Tc) A montaggio superficiale LFPAK88 (SOT1235)

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Nexperia USA Inc.
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	100 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	255A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	10V
RDSon (max) a Id, Vgs	2,3mohm a 25A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	395 nC @ 10 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	29960 pF @ 50 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	500W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	LFPAK88 (SOT1235)
Contenitore/involucro	SOT-1235

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Nastrato in bobina (TR)