PMN27UN,135 NXP USA Inc. | Prodotti a semiconduttore discreti

PMN27UN,135 è obsoleto e non è più in produzione.

Sostituti disponibili:

Simile

Rohm Semiconductor

In magazzino: 668

Prezzo unitario : Fr. 0.73000

Simile

Rohm Semiconductor

In magazzino: 2’786

Prezzo unitario : Fr. 0.96000

Simile

Vishay Siliconix

In magazzino: 1’130

Prezzo unitario : Fr. 0.76000

Simile

STMicroelectronics

In magazzino: 10’626

Prezzo unitario : Fr. 0.66000

Simile

Diodes Incorporated

In magazzino: 1’321

Prezzo unitario : Fr. 0.90000

Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

PMN27UN,135
Codice DigiKey	568-7417-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	NXP USA Inc.
Codice produttore	PMN27UN,135
Descrizione	MOSFET N-CH 20V 5.7A 6TSOP
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 20 V 5,7 A (Tc) 1,75W (Tc) A montaggio superficiale SC-74
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	PMN27UN,135 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	NXP USA Inc.
Serie	TrenchMOS™
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	5,7 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	1,8V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs	34mohm a 2A, 4,5V
Vgs(th) max a Id	700mV a 1mA (tip.)
Carica del gate (Qg) max a Vgs	10.6 nC @ 4.5 V
Vgs (max)	±8V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	740 pF @ 10 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1,75W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	SC-74
Contenitore/involucro	SC-74, SOT-457
Codice componente base	PMN2