Canale N 20 V 5 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
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RUQ050N02TR

Codice DigiKey
RUQ050N02TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
RUQ050N02CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
RUQ050N02DKR-ND - Digi-Reel®
Produttore
Rohm Semiconductor
Codice produttore
RUQ050N02TR
Descrizione
MOSFET N-CH 20V 5A TSMT6
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 20 V 5 A (Ta) 1,25W (Ta) A montaggio superficiale Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
RUQ050N02TR Modelli
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
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Categoria
Produttore
Rohm Semiconductor
Serie
-
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Digi-Reel®
Stato componente
Data di acquisto finale
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
20 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
5 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
1,5V, 4,5V
RDSon (max) a Id, Vgs
30mohm a 5A, 4,5V
Vgs(th) max a Id
1,3V a 1mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
12 nC @ 4.5 V
Vgs (max)
±10V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
900 pF @ 10 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
1,25W (Ta)
Temperatura di funzionamento
150°C (TJ)
Grado
-
Qualifica
-
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
Rechteckig 0,950" x 2,690" (24,13mm x 68,33mm)
Contenitore/involucro
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Codice componente base
RUQ050
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Nastro pre-tagliato (CT) & Digi-Reel®
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
1Fr. 0.94000Fr. 0.94
10Fr. 0.59000Fr. 5.90
100Fr. 0.38800Fr. 38.80
500Fr. 0.30130Fr. 150.65
1’000Fr. 0.27338Fr. 273.38
* A tutti gli ordini Digi-Reel sarà aggiunto un costo di bobinatura di Fr. 7.00.
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
3’000Fr. 0.23790Fr. 713.70
6’000Fr. 0.22003Fr. 1’320.18
9’000Fr. 0.21093Fr. 1’898.37
15’000Fr. 0.20240Fr. 3’036.00
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.94000
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.01614
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