NGTB03N60R2DT4G onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

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NGTB03N60R2DT4G
Codice DigiKey	NGTB03N60R2DT4GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	NGTB03N60R2DT4G
Descrizione	IGBT 9A 600V DPAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT 600 V 9 A 49 W A montaggio superficiale DPAK

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo di IGBT	-
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	600 V
Corrente - Collettore (Ic) max	9 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	12 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,1V a 15V, 3A
Potenza - Max	49 W
Energia di commutazione	50µJ (on), 27µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	17 nC
Td (on/off) a 25°C	27ns/59ns
Condizione di test	300V, 3A, 30ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (Trr)	65 ns
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Contenitore del fornitore	DPAK
Codice componente base	NGTB03