Name: AFGB40T65SQDN
Brand: onsemi
SKU: AFGB40T65SQDNOSTR-ND
Price: 5.36176 CHF
Availability: InStock

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AFGB40T65SQDN
Codice DigiKey	AFGB40T65SQDNOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) AFGB40T65SQDNOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) AFGB40T65SQDNOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	AFGB40T65SQDN
Descrizione	IGBT 650V 80A TO-263
Tempi di consegna standard del produttore	15 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	IGBT 650 V 80 A 238 W A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	AFGB40T65SQDN Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor IGBT IGBT singoli
Produttore	onsemi
Serie	-
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®
Stato componente	Attivo
Tipo di IGBT	-
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max)	650 V
Corrente - Collettore (Ic) max	80 A
Corrente - Pulsata collettore (Icm)	160 A
Vce(on) max a Vge, Ic	2,1V a 15V, 40A
Potenza - Max	238 W
Energia di commutazione	858µJ (on), 229µJ (off)
Tipo di ingresso	Standard
Carica del gate	76 nC
Td (on/off) a 25°C	17,6ns/75,2ns
Condizione di test	400V, 40A, 6ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (Trr)	131 ns
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	Automobilistico
Qualifica	AEC-Q101
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore/involucro	TO-263-3, D2PAK (2 conduttori+linguetta), TO-263AB
Contenitore del fornitore	TO-263 (D2PAK)
Codice componente base	AFGB40