Name: BVSS123LT1G
Brand: onsemi
SKU: BVSS123LT1GOSTR-ND
Price: 0.36754 CHF
Availability: InStock

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BVSS123LT1G
Codice DigiKey	BVSS123LT1GOSTR-ND - Nastrato in bobina (TR) BVSS123LT1GOSCT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) BVSS123LT1GOSDKR-ND - Digi-Reel®
Produttore	onsemi
Codice produttore	BVSS123LT1G
Descrizione	MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3
Tempi di consegna standard del produttore	46 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 100 V 170mA (Ta) 225mW (Ta) A montaggio superficiale SOT-23-3 (TO-236)
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	BVSS123LT1G Modelli

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Categoria Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli	Vgs (max) ±20V
Produttore onsemi	Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 20 pF @ 25 V
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) Digi-Reel®	Dissipazione di potenza (max) 225mW (Ta)
Stato componente Attivo	Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo FET Canale N	Grado Automobilistico
Tecnologia MOSFET (ossido di metallo)	Qualifica AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss) 100 V	Tipo di montaggio A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C 170mA (Ta)	Contenitore del fornitore SOT-23-3 (TO-236)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V	Contenitore/involucro TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
RDSon (max) a Id, Vgs 6ohm a 100mA, 10V	Codice componente base BVSS123
Vgs(th) max a Id 2,8V a 1mA