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EMD4DXV6T5G è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
EMD4DXV6T5G | |
|---|---|
Codice DigiKey | EMD4DXV6T5G-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | EMD4DXV6T5G |
Descrizione | TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT-563 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Transistor - Bipolari (BJT) - Array pre-polarizzati 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) 50V 100mA 500mW A montaggio superficiale SOT-563 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | EMD4DXV6T5G Modelli |
Attributi del prodotto
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
|---|---|---|
Categoria | ||
Produttore | onsemi | |
Serie | - | |
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Obsoleto | |
Tipo di transistor | 1 NPN, 1 PNP - pre-polarizzati (doppi) | |
Corrente - Collettore (Ic) max | 100mA | |
Tensione - Rottura collettore-emettitore (max) | 50V | |
Resistore - Base (R1) | 47kohm, 10kohm | |
Resistore - Base emettitore (R2) | 47kohm | |
Guadagno di corrente c.c. (hFE) min a Ic, Vce | 80 a 5mA, 10V | |
Saturazione Vce (max) a Ib, Ic | 250mV a 300µA, 10mA | |
Corrente - Interruzione collettore (max) | 500nA | |
Frequenza - Transizione | - | |
Potenza - Max | 500mW | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore/involucro | SOT-563, SOT-666 | |
Contenitore del fornitore | SOT-563 | |
Codice componente base |
Obsoleto
Svizzera