
FCH150N65F-F155 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FCH150N65F-F155-ND |
Produttore | |
Codice produttore | FCH150N65F-F155 |
Descrizione | MOSFET N-CH 650V 24A TO247 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 650 V 24 A (Tc) 298W (Tc) Foro passante TO-247-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FCH150N65F-F155 Modelli |
Category | Vgs(th) max a Id 5V a 2,4mA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 94 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 3737 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 298W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 650 V | Contenitore del fornitore TO-247-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 150mohm a 12A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| NTHL110N65S3F | onsemi | 668 | NTHL110N65S3FOS-ND | Fr. 7.00000 | Consigliato dal produttore |
| IPW60R165CPFKSA1 | Infineon Technologies | 30 | IPW60R165CPFKSA1-ND | Fr. 4.52000 | Simile |
| SCT3120ALGC11 | Rohm Semiconductor | 282 | SCT3120ALGC11-ND | Fr. 8.30000 | Simile |
| SIHG24N65E-E3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG24N65E-E3-ND | Fr. 2.16812 | Simile |
| STW24N60M2 | STMicroelectronics | 601 | 497-13594-5-ND | Fr. 2.92000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 6.41000 | Fr. 6.41 |
| 30 | Fr. 3.71467 | Fr. 111.44 |
| 120 | Fr. 3.12275 | Fr. 374.73 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 6.41000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 6.92921 |

