Name: SCT3120ALGC11
Brand: Rohm Semiconductor
SKU: SCT3120ALGC11-ND
Price: 8.41018 CHF
Availability: InStock

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SCT3120ALGC11
Codice DigiKey	SCT3120ALGC11-ND
Produttore	Rohm Semiconductor
Codice produttore	SCT3120ALGC11
Descrizione	SICFET N-CH 650V 21A TO247N
Tempi di consegna standard del produttore	27 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 650 V 21 A (Tc) 103W (Tc) Foro passante TO-247N
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	SCT3120ALGC11 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	Rohm Semiconductor
Serie	-
Confezionamento	Tubo
Stato componente	Attivo
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	SiCFET (carburo di silicio)
Tensione drain/source (Vdss)	650 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	21 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	18V
RDSon (max) a Id, Vgs	156mohm a 6.7A, 18V
Vgs(th) max a Id	5,6V a 3,33mA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	38 nC @ 18 V
Vgs (max)	+22V, -4V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	460 pF @ 500 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	103W (Tc)
Temperatura di funzionamento	175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	Foro passante
Contenitore del fornitore	TO-247N
Contenitore/involucro	TO-247-3
Codice componente base	SCT3120

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Quantità

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Tubo

Quantità	Prezzo unitario	Prezzo tot
1	Fr. 7.78000	Fr. 7.78
30	Fr. 4.18000	Fr. 125.40
120	Fr. 3.99617	Fr. 479.54
510	Fr. 3.66000	Fr. 1’866.60

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