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FCP9N60N è obsoleto e non è più in produzione.
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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.
FCP9N60N | |
|---|---|
Codice DigiKey | FCP9N60N-ND |
Produttore | |
Codice produttore | FCP9N60N |
Descrizione | MOSFET N-CH 600V 9A TO220-3 |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 600 V 9 A (Tc) 83,3W (Tc) Foro passante TO-220-3 |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Modelli EDA/CAD | FCP9N60N Modelli |
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Categoria | Vgs(th) max a Id 4V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 29 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±30V |
Confezionamento Tubo | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 1240 pF @ 100 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 83,3W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio Foro passante |
Tensione drain/source (Vdss) 600 V | Contenitore del fornitore TO-220-3 |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 385mohm a 4,5A, 10V |
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Sostituti (9)
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| FCP360N65S3R0 | onsemi | 293 | FCP360N65S3R0-ND | Fr. 2.69000 | Consigliato dal produttore |
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| SIHP12N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHP12N60E-GE3-ND | Fr. 2.84000 | Simile |
Obsoleto
