



FDB120N10 | |
|---|---|
Codice DigiKey | FDB120N10TR-ND - Nastrato in bobina (TR) FDB120N10CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT) |
Produttore | |
Codice produttore | FDB120N10 |
Descrizione | MOSFET N-CH 100V 74A D2PAK |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 100 V 74 A (Tc) 170W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK) |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Categoria | Vgs(th) max a Id 4,5V a 250µA |
Produttore | Carica del gate (Qg) max a Vgs 86 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (max) ±20V |
Confezionamento Nastrato in bobina (TR) Nastro pre-tagliato (CT) | Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds 5605 pF @ 25 V |
Stato componente Obsoleto | Dissipazione di potenza (max) 170W (Tc) |
Tipo FET | Temperatura di funzionamento -55°C ~ 175°C (TJ) |
Tecnologia | Tipo di montaggio A montaggio superficiale |
Tensione drain/source (Vdss) 100 V | Contenitore del fornitore TO-263 (D2PAK) |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | Contenitore/involucro |
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) 10V | Codice componente base |
RDSon (max) a Id, Vgs 12mohm a 74A, 10V |
| Codice componente | Produttore | Quantità disponibile | Codice DigiKey | Prezzo unitario | Tipo di articolo sostitutivo |
|---|---|---|---|---|---|
| IPB144N12N3GATMA1 | Infineon Technologies | 150 | IPB144N12N3GATMA1CT-ND | Fr. 2.41000 | Simile |
| IRFS4510TRLPBF | Infineon Technologies | 1’600 | 448-IRFS4510TRLPBFTR-ND | Fr. 0.79693 | Simile |
| PHB27NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | 4’804 | 1727-4763-1-ND | Fr. 1.73000 | Simile |
| PHB45NQ10T,118 | Nexperia USA Inc. | 1’558 | 1727-4766-1-ND | Fr. 2.18000 | Simile |
| PSMN013-100BS,118 | Nexperia USA Inc. | 208 | 1727-7104-1-ND | Fr. 2.11000 | Simile |
| Quantità | Prezzo unitario | Prezzo tot |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 2.50000 | Fr. 2.50 |
| 10 | Fr. 1.62700 | Fr. 16.27 |
| 100 | Fr. 1.13050 | Fr. 113.05 |
| Prezzo unitario IVA esclusa: | Fr. 2.50000 |
|---|---|
| Prezzo unitario IVA inclusa: | Fr. 2.70250 |

