Canale N 60 V 110 A (Tc) 176W (Tj) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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Canale N 60 V 110 A (Tc) 176W (Tj) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
TO-263

FDB86566-F085

Codice DigiKey
FDB86566-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR)
FDB86566-F085CT-ND - Nastro pre-tagliato (CT)
Produttore
Codice produttore
FDB86566-F085
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 110 A (Tc) 176W (Tj) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD
FDB86566-F085 Modelli
Attributi del prodotto
Filtra prodotti simili
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Categoria
Carica del gate (Qg) max a Vgs
110 nC @ 10 V
Produttore
Vgs (max)
±20V
Serie
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6655 pF @ 30 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Nastro pre-tagliato (CT)
Dissipazione di potenza (max)
176W (Tj)
Stato componente
Obsoleto
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo FET
Grado
Automobilistico
Tecnologia
Qualifica
AEC-Q101
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
2,7mohm a 80A, 10V
Codice componente base
Vgs(th) max a Id
4V a 250µA
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (6)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
FDBL86566-F085onsemi5’753FDBL86566-F085CT-NDFr. 3.58000Consigliato dal produttore
BUK762R6-60E,118Nexperia USA Inc.1’8151727-BUK762R6-60E,118CT-NDFr. 3.70000Diretto
BUK763R1-60E,118Nexperia USA Inc.7’8581727-7252-1-NDFr. 3.38000Diretto
BUK963R3-60E,118Nexperia USA Inc.3’9861727-1099-1-NDFr. 3.30000Diretto
AOB266LAlpha & Omega Semiconductor Inc.0785-1328-2-NDFr. 0.98189Simile
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Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
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10Fr. 1.92100Fr. 19.21
100Fr. 1.34770Fr. 134.77
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