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Canale N 60 V 18 A (Ta), 140 A (Tc) 2,1W (Ta), 268W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
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AOB266L

Codice DigiKey
785-1328-2-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Codice produttore
AOB266L
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 18A/140A TO263
Tempi di consegna standard del produttore
20 settimane
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 18 A (Ta), 140 A (Tc) 2,1W (Ta), 268W (Tc) A montaggio superficiale TO-263 (D2PAK)
Scheda tecnica
 Scheda tecnica
Attributi del prodotto
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Mostra attributi vuoti
Categoria
Vgs(th) max a Id
3,2V a 250µA
Produttore
Carica del gate (Qg) max a Vgs
80 nC @ 10 V
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Vgs (max)
±20V
Stato componente
Attivo
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
6800 pF @ 30 V
Tipo FET
Dissipazione di potenza (max)
2,1W (Ta), 268W (Tc)
Tecnologia
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
Contenitore del fornitore
TO-263 (D2PAK)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
6V, 10V
Contenitore/involucro
RDSon (max) a Id, Vgs
3,2mohm a 20A, 10V
Codice componente base
Classificazioni ambientali e di esportazione
Domande e risposte sui prodotti
Altre risorse
Sostituti (16)
Codice componenteProduttore Quantità disponibileCodice DigiKey Prezzo unitario Tipo di articolo sostitutivo
AUIRFS3206TRLInfineon Technologies0AUIRFS3206TRLTR-NDFr. 0.00000Simile
BUK763R1-60E,118Nexperia USA Inc.7’7831727-7252-1-NDFr. 3.38000Simile
BUK963R3-60E,118Nexperia USA Inc.4’7861727-1099-1-NDFr. 3.30000Simile
FDB029N06onsemi0FDB029N06TR-NDFr. 3.38548Simile
FDB031N08onsemi0FDB031N08CT-NDFr. 5.69000Simile
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Tutti i prezzi sono in CHF
Nastrato in bobina (TR)
Quantità Prezzo unitario Prezzo tot
800Fr. 0.98189Fr. 785.51
1’600Fr. 0.91397Fr. 1’462.35
2’400Fr. 0.87938Fr. 2’110.51
4’000Fr. 0.84052Fr. 3’362.08
5’600Fr. 0.83548Fr. 4’678.69
Contenitore standard del produttore
Prezzo unitario IVA esclusa:Fr. 0.98189
Prezzo unitario IVA inclusa:Fr. 1.06142