


FDD14AN06LA0-F085 | |
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Codice DigiKey | FDD14AN06LA0-F085TR-ND - Nastrato in bobina (TR) |
Produttore | |
Codice produttore | FDD14AN06LA0-F085 |
Descrizione | MOSFET N-CH 60V 9.5A/50A TO252AA |
Riferimento cliente | |
Descrizione dettagliata | Canale N 60 V 9,5 A (Ta), 50 A (Tc) 125W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA |
Scheda tecnica | Scheda tecnica |
Tipo | Descrizione | Seleziona tutto |
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Categoria | ||
Produttore | ||
Serie | ||
Confezionamento | Nastrato in bobina (TR) | |
Stato componente | Attivo | |
Tipo FET | ||
Tecnologia | ||
Tensione drain/source (Vdss) | 60 V | |
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C | ||
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min) | 5V, 10V | |
RDSon (max) a Id, Vgs | 11,6mohm a 50A, 10V | |
Vgs(th) max a Id | 3V a 250µA | |
Carica del gate (Qg) max a Vgs | 32 nC @ 5 V | |
Vgs (max) | ±20V | |
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds | 2810 pF @ 25 V | |
Funzione FET | - | |
Dissipazione di potenza (max) | 125W (Tc) | |
Temperatura di funzionamento | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
Grado | Automobilistico | |
Qualifica | AEC-Q101 | |
Tipo di montaggio | A montaggio superficiale | |
Contenitore del fornitore | TO-252AA | |
Contenitore/involucro | ||
Codice componente base |







