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SIHD5N80AE-GE3
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SQD40N06-25L-GE3

Codice DigiKey
SQD40N06-25L-GE3-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore
Vishay Siliconix
Codice produttore
SQD40N06-25L-GE3
Descrizione
MOSFET N-CH 60V 30A TO252
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata
Canale N 60 V 30 A (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Attributi del prodotto
Tipo
Descrizione
Seleziona tutto
Categoria
Produttore
Vishay Siliconix
Serie
TrenchFET®
Confezionamento
Nastrato in bobina (TR)
Stato componente
Attivo
Tipo FET
Canale N
Tecnologia
MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)
60 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C
30 A (Tc)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)
10V
RDSon (max) a Id, Vgs
22mohm a 20A, 10V
Vgs(th) max a Id
3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max)
±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds
1800 pF @ 25 V
Funzione FET
-
Dissipazione di potenza (max)
-
Temperatura di funzionamento
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado
Automobilistico
Qualifica
AEC-Q101
Tipo di montaggio
A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore
TO-252AA
Contenitore/involucro
TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base
SQD40
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