FDD6606 onsemi | Prodotti a semiconduttore discreti

FDD6606 è obsoleto e non è più in produzione.

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onsemi

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Questa immagine puo' variare dall'originale. Per i particolari consulti la scheda tecnica.

FDD6606
Codice DigiKey	FDD6606-ND - Nastrato in bobina (TR)
Produttore	onsemi
Codice produttore	FDD6606
Descrizione	MOSFET N-CH 30V 75A D-PAK
Riferimento cliente
Descrizione dettagliata	Canale N 30 V 75 A (Ta) 71W (Tc) A montaggio superficiale TO-252AA
Scheda tecnica	Scheda tecnica
Modelli EDA/CAD	FDD6606 Modelli

Attributi del prodotto

Tipo	Descrizione	Seleziona tutto
Categoria	Prodotti a semiconduttore discreti Transistor FET, MOSFET FET, MOSFET singoli
Produttore	onsemi
Serie	PowerTrench®
Confezionamento	Nastrato in bobina (TR)
Stato componente	Obsoleto
Tipo FET	Canale N
Tecnologia	MOSFET (ossido di metallo)
Tensione drain/source (Vdss)	30 V
Corrente - Drain continuo (Id) a 25 °C	75 A (Ta)
Tensione di comando (RDSon max, RDSon min)	4,5V, 10V
RDSon (max) a Id, Vgs	6mohm a 17A, 10V
Vgs(th) max a Id	3V a 250µA
Carica del gate (Qg) max a Vgs	31 nC @ 5 V
Vgs (max)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) max a Vds	2400 pF @ 15 V
Funzione FET	-
Dissipazione di potenza (max)	71W (Tc)
Temperatura di funzionamento	-55°C ~ 175°C (TJ)
Grado	-
Qualifica	-
Tipo di montaggio	A montaggio superficiale
Contenitore del fornitore	TO-252AA
Contenitore/involucro	TO-252-3, DPAK (2 conduttori+linguetta), SC-63
Codice componente base	FDD660